W29N02KVBIAE टीआर
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निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
आईसी फ्लैश 2GBIT ONFI 63VFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
ओएनएफआई
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
63-वीएफबीजीए (9x11)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
मेमोरी का आकार:
2 जीबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पहूंच समय:
20 एनएस
पैकेज / मामला:
63-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
256एम x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नंद (एसएलसी)
मूल उत्पाद संख्या:
W29N02
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NAND (SLC) मेमोरी IC 2Gbit ONFI 20 ns 63-VFBGA (9x11)
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