W9412G6KH-5 टीआर
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निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
128 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
15एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
66-TSOP II
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
200 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.3V ~ 2.7V
पहूंच समय:
50 एनएस
पैकेज / मामला:
66-टीएसएसओपी (0.400", 10.16 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
8एम x 16
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम - डीडीआर
मूल उत्पाद संख्या:
W9412G6
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
परिचय
एसडीआरएएम - डीडीआर मेमोरी आईसी 128 एमबीटी समानांतर 200 मेगाहर्ट्ज 50 एनएस 66-टीएसओपी II
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