W979H6KBVX1E टीआर
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
आईसी DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
512 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
नए डिजाइन के लिए नहीं
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
HSUL_12
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
15एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
134-वीएफबीजीए (10x11.5)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
533 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V
पैकेज / मामला:
134-VFBGA
स्मृति संगठन:
32एम x 16
परिचालन तापमान:
-25°C ~ 85°C (TC)
प्रौद्योगिकी:
SDRAM - मोबाइल LPDDR2-S4B
मूल उत्पाद संख्या:
W979H6
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
परिचय
SDRAM - मोबाइल LPDDR2-S4B मेमोरी IC 512Mbit HSUL_12 533 MHz 134-VFBGA (10x11.5)
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