W29N01HZSINA TR
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
आईसी फ्लैश 1GBIT ONFI 48TSOP
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
ओएनएफआई
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
48-टीएसओपी
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
मेमोरी का आकार:
1 जीबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.7 वी ~ 1.95 वी
पहूंच समय:
22 एनएस
पैकेज / मामला:
48-टीएफएसओपी (0.724", 18.40 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
128एम x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नंद (एसएलसी)
मूल उत्पाद संख्या:
W29N01
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NAND (SLC) मेमोरी IC 1Gbit ONFI 22 ns 48-TSOP
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IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
| छवि | भाग # | विवरण | |
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W29N02KVBIAE टीआर |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
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IC FLASH 8MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 16SOIC
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W9816G6JH-5 टीआर |
IC DRAM 16MBIT PAR 50TSOP II
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IC FLASH 128MBIT SPI/QUAD 8WSON
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W25R128JWEIQ TR |
IC FLASH 128MBIT SPI 8WSON
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W971GG8NB-18 |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
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W25N01GVTBIG |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 24TFBGA
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W25N02KVZEIU |
IC FLASH 2GBIT SPI/QUAD 8WSON
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W9412G6KH-5 टीआर |
IC DRAM 128MBIT PAR 66TSOP II
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W25Q16JWSSIQ |
IC FLASH 16MBIT SPI/QUAD 8SOIC
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