W66BM6NBUAFJ टीआर
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निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
IC DRAM 2GBIT LVSTL 11 200WFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
2 जीबीटी
उत्पाद की स्थिति:
नए डिजाइन के लिए नहीं
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
एलवीएसटीएल_11
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
18एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
200-डब्ल्यूएफबीजीए (10x14.5)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
1.6 गीगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.06V ~ 1.17V, 1.7V ~ 1.95V
पहूंच समय:
3.5 एनएस
पैकेज / मामला:
200-डब्ल्यूएफबीजीए
स्मृति संगठन:
128एम x 16
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स
मूल उत्पाद संख्या:
W66BM6
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
परिचय
SDRAM - मोबाइल LPDDR4X मेमोरी IC 2Gbit LVSTL_11 1.6 GHz 3.5 ns 200-WFBGA (10x14.5)
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