W25M512JWEIQ टीआर
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
विवरण:
आईसी फ्लैश 512 एमबीआईटी एसपीआई 8डब्ल्यूएसओएन
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
512 एमबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
SpiFlash®
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
एसपीआई
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
5 एम
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
8-डब्ल्यूएसओएन (8x6)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
विनबॉन्ड इलेक्ट्रॉनिक्स
घड़ी की आवृत्ति:
104 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.7 वी ~ 1.95 वी
पहूंच समय:
7 एनएस
पैकेज / मामला:
8-डब्ल्यूडीएफएन एक्सपोज्ड पैड
स्मृति संगठन:
64M x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नहीं
मूल उत्पाद संख्या:
W25M512
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit SPI 104 MHz 7 ns 8-WSON (8x6)
संबंधित उत्पाद
W29N02KVBIAE टीआर
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
W97AH6NBVA1E टीआर
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
W979H2KBVX1I टीआर
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W25N01GWZEIG टीआर
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
W9812G6KH-5I टीआर
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W632GG8NB-11 टीआर
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
W979H6KBVX1E टीआर
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
W971GG8NB25I टीआर
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
W9812G6KH-5I
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
W25N512GVEIG
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
W29N02KVBIAE टीआर |
IC FLASH 2GBIT ONFI 63VFBGA
|
|
|
|
W97AH6NBVA1E टीआर |
IC DRAM 1GBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W979H2KBVX1I टीआर |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W25N01GWZEIG टीआर |
IC FLASH 1GBIT SPI/QUAD 8WSON
|
|
|
|
W9812G6KH-5I टीआर |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W632GG8NB-11 टीआर |
IC DRAM 2GBIT SSTL 15 78VFBGA
|
|
|
|
W979H6KBVX1E टीआर |
IC DRAM 512MBIT HSUL 12 134VFBGA
|
|
|
|
W971GG8NB25I टीआर |
IC DRAM 1GBIT SSTL 18 60VFBGA
|
|
|
|
W9812G6KH-5I |
IC DRAM 128MBIT LVTTL 54TSOP II
|
|
|
|
W25N512GVEIG |
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: