THGJFGT1E45BAIL
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
कियॉक्सिया अमेरिका, इंक।
विवरण:
आईसी फ्लैश 2TBIT UFS 3.1 153BGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
2Tbit
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
ई • एमएमसी™
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
यूएफएस 3.1
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
153-बीजीए (11.5x13)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
कियॉक्सिया अमेरिका, इंक।
घड़ी की आवृत्ति:
1.16 गीगाहर्ट्ज़
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.4 वी ~ 3.6 वी, 2.7 वी ~ 3.6 वी
पैकेज / मामला:
153-डब्ल्यूबीजीए
स्मृति संगठन:
256 जी एक्स 8
परिचालन तापमान:
-25 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - एनओआर (एसएलसी)
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NOR (SLC) मेमोरी IC 2Tbit UFS 3.1 1.16 GHz 153-BGA (11.5x13)
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| छवि | भाग # | विवरण | |
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IC FLASH 4GBIT 63TFBGA
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TH58BYG3S0HBAI4 |
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