TC58BYG0S3HBAI6
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
कियॉक्सिया अमेरिका, इंक।
विवरण:
आईसी फ्लैश 1GBIT समानांतर 67VFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
बेनंद™
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
67-वीएफबीजीए (6.5x8)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
कियॉक्सिया अमेरिका, इंक।
मेमोरी का आकार:
1 जीबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.7 वी ~ 1.95 वी
पहूंच समय:
25 एनएस
पैकेज / मामला:
67-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
128एम x 8
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नंद (एसएलसी)
मूल उत्पाद संख्या:
TC58BYG0
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NAND (SLC) मेमोरी IC 1Gbit समानांतर 25 ns 67-VFBGA (6.5x8)
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