71V35761SA200BQG
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निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
आईसी SRAM 4.5MBIT PAR 165CABGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
4.5Mbit
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
165-सीएबीजीए (13x15)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
घड़ी की आवृत्ति:
200 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
3.135V ~ 3.465V
पहूंच समय:
3.1 एन.एस
पैकेज / मामला:
165-टीबीजीए
स्मृति संगठन:
128K x 36
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर
मूल उत्पाद संख्या:
71वी35761एस
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
परिचय
एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर मेमोरी आईसी 4.5 एमबीआईटी समानांतर 200 मेगाहर्ट्ज 3.1 एनएस 165-सीएबीजीए (13x15)
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स्टॉक:
एमओक्यू: