S29GL512P10FAIR12
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
जीएल-पी
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
100ns
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
64-एफबीजीए (11x13)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
साइप्रस सेमीकंडक्टर कार्पोरेशन
मेमोरी का आकार:
512 एमबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
3V ~ 3.6V
पहूंच समय:
100 एनएस
पैकेज / मामला:
64-एलबीजीए
स्मृति संगठन:
32एम x 16
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नहीं
मूल उत्पाद संख्या:
S29GL512
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NOR मेमोरी IC 512Mbit समानांतर 100 ns 64-FBGA (11x13)
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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
छवि | भाग # | विवरण | |
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CY7C2563KV18-400BZXI |
IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
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