M29F800FB55M3F2
![गुणवत्ता [#varpname#] फैक्टरी](/images/load_icon.gif){kind=icon}
निर्माता:
एलायंस मेमोरी, इंक।
विवरण:
आईसी फ्लैश 8एमबीआईटी 44एसओ
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
श्रृंखला:
ऑटोमोबाइल, एईसी-क्यू100
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
55एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
44-SO
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
एलायंस मेमोरी, इंक।
मेमोरी का आकार:
8 एमबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
4.5 वी ~ 5.5 वी
पहूंच समय:
55 एनएस
पैकेज / मामला:
44-एसओआईसी (0.496", 12.60 मिमी चौड़ाई)
स्मृति संगठन:
1M x 8, 512K x 16
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 125 डिग्री सेल्सियस (टीए)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नहीं
मूल उत्पाद संख्या:
एम29एफ800
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NOR मेमोरी IC 8Mbit 55 ns 44-SO
संबंधित उत्पाद
AS4C8M16SA-6BIN
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
AS4C256M16D3LC-12BCN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C64M8D2-25BCN
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
AS4C32M16D3-12BCNTR
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
AS4C512M8D3LC-12BAN
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
AS7C31026B-20JCN
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
AS4C4M16SA-6BANTR
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
AS7C34096A-20JIN
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
AS4C128M16D3L-12BAN
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
AS4C512M16D3LA-10BIN
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
| छवि | भाग # | विवरण | |
|---|---|---|---|
|
|
AS4C8M16SA-6BIN |
IC DRAM 128MBIT PAR 54TFBGA
|
|
|
|
AS4C256M16D3LC-12BCN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C64M8D2-25BCN |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60FBGA
|
|
|
|
AS4C32M16D3-12BCNTR |
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 96FBGA
|
|
|
|
AS4C512M8D3LC-12BAN |
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78FBGA
|
|
|
|
AS7C31026B-20JCN |
IC SRAM 1MBIT PARALLEL 44SOJ
|
|
|
|
AS4C4M16SA-6BANTR |
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 54TFBGA
|
|
|
|
AS7C34096A-20JIN |
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 36SOJ
|
|
|
|
AS4C128M16D3L-12BAN |
IC DRAM 2GBIT PARALLEL 96BGA
|
|
|
|
AS4C512M16D3LA-10BIN |
IC DRAM 8GBIT PAR 96FBGA
|
आरएफक्यू भेजें
स्टॉक:
एमओक्यू: