MT53E512M32D1ZW-046BAAT:बी
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निर्माता:
माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
विवरण:
आईसी DRAM 16GBIT 2.133GHZ 200WFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
16 जीबीटी
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
ऑटोमोबाइल, एईसी-क्यू100
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
18एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
200-टीएफबीजीए (10x14.5)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
घड़ी की आवृत्ति:
2.133 गीगाहर्ट्ज़
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.06 वी ~ 1.17 वी
पैकेज / मामला:
200-टीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
512एम x 32
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीसी)
प्रौद्योगिकी:
एसडीआरएएम - मोबाइल एलपीडीडीआर4एक्स
पहूंच समय:
3.5 एनएस
मेमोरी प्रारूप:
घूंट
परिचय
SDRAM - मोबाइल LPDDR4X मेमोरी IC 16Gbit समानांतर 2.133 GHz 3.5 ns 200-TFBGA (10x14.5)
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