71वी67703एस75बीजी8
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निर्माता:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
विवरण:
IC SRAM 9MBIT PAR 117MHZ 119PBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
9एमबिट
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
119-पीबीजीए (14x22)
मेमोरी प्रकार:
परिवर्तनशील
एमएफआर:
रेनेसस इलेक्ट्रॉनिक्स अमेरिका इंक
घड़ी की आवृत्ति:
117 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
3.135V ~ 3.465V
पहूंच समय:
7.5 एनएस
पैकेज / मामला:
119-बीजीए
स्मृति संगठन:
256K x 36
परिचालन तापमान:
0°C ~ 70°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर
मूल उत्पाद संख्या:
71वी67703
मेमोरी प्रारूप:
एसआरएएम
परिचय
एसआरएएम - सिंक्रोनस, एसडीआर मेमोरी आईसी 9 एमबीट समानांतर 117 मेगाहर्ट्ज 7.5 एनएस 119-पीबीजीए (14x22)
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