विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
सक्रिय
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
ईएमसीपी
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
ईएमएमसी 5.1 एचएस400 + एलपीडीडीआर3
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
221-वीएफबीजीए (13x11.5)
मेमोरी प्रकार:
गैर-वाष्पशील, अस्थिर
एमएफआर:
किन्टाल
परिचालन तापमान:
-25 डिग्री सेल्सियस ~ 85 डिग्री सेल्सियस
मेमोरी का आकार:
4GByte (NAND), 4GBit (LPDDR3 DRAM)
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.8 वी, 3.3 वी
पैकेज / मामला:
221-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
-
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नंद, ड्रामा - एलपीडीडीआर
मूल उत्पाद संख्या:
04ईएम04
मेमोरी प्रारूप:
फ्लैश, राम
परिचय
फ्लैश - NAND, DRAM - LPDDR मेमोरी IC 4GByte (NAND), 4Gbit (LPDDR3 DRAM) eMMC 5.1 HS400 + LPDDR3 221-VFBGA (13x11.5)
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छवि | भाग # | विवरण | |
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