MT29RZ4B4DZZMGWD-18I.80C TR
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निर्माता:
माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
विवरण:
आईसी फ्लैश रैम 4G PAR 162VFBGA
श्रेणी:
स्मृति
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
मेमोरी का आकार:
4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2)
उत्पाद की स्थिति:
अप्रचलित
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
टेप और रील (TR)
कट टेप (सीटी)
Digi-Reel®
श्रृंखला:
-
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
-
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
162-वीएफबीजीए (10.5x8)
मेमोरी प्रकार:
गैर-वाष्पशील, अस्थिर
एमएफआर:
माइक्रोन टेक्नोलॉजी इंक।
घड़ी की आवृत्ति:
533 मेगाहर्ट्ज
वोल्टेज - आपूर्ति:
1.8 वी
पैकेज / मामला:
162-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
128एम x 32 (एनएएनडी), 128एम x 32 (एलपीडीडीआर2)
परिचालन तापमान:
-40°C ~ 85°C (TA)
प्रौद्योगिकी:
फ़्लैश - NAND, DRAM - LPDDR2
मूल उत्पाद संख्या:
MT29RZ4B4
मेमोरी प्रारूप:
फ्लैश, राम
परिचय
फ्लैश - NAND, DRAM - LPDDR2 मेमोरी IC 4Gbit (NAND), 4Gbit (LPDDR2) समानांतर 533 MHz 162-VFBGA (10.5x8)
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