S34ML04G104BHV010
विनिर्देश
श्रेणी:
एकीकृत सर्किट (IC)
स्मृति
स्मृति
उत्पाद की स्थिति:
डिजी-की पर बंद कर दिया गया
माउंटिंग प्रकार:
सतह माउंट
पैकेज:
ट्रे
श्रृंखला:
एमएल -1
डिजीकी प्रोग्रामयोग्य:
सत्यापित नहीं
मेमोरी इंटरफ़ेस:
समानांतर
चक्र समय लिखें - शब्द, पृष्ठ:
25एनएस
आपूर्तिकर्ता उपकरण पैकेज:
63-बीजीए (11x9)
मेमोरी प्रकार:
गैर वाष्पशील
एमएफआर:
साइप्रस सेमीकंडक्टर कार्पोरेशन
मेमोरी का आकार:
4 जीबीटी
वोल्टेज - आपूर्ति:
2.7V ~ 3.6V
पैकेज / मामला:
63-वीएफबीजीए
स्मृति संगठन:
256M x 16
परिचालन तापमान:
-40 डिग्री सेल्सियस ~ 105 डिग्री सेल्सियस (टीए)
प्रौद्योगिकी:
फ्लैश - नंद
मूल उत्पाद संख्या:
S34ML04
मेमोरी प्रारूप:
चमक
परिचय
फ्लैश - NAND मेमोरी IC 4Gbit समानांतर 63-BGA (11x9)
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छवि | भाग # | विवरण | |
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IC SRAM 72MBIT PARALLEL 165FBGA
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